Механизмы рассеяния носителей тока, ответственные за формирование магнитопьезосопротивления $n$-Si в области сильных упругих деформаций

П. И. Баранский, В. М. Бабич, В. Л. Борблик, Ю. П. Доценко, В. Б. Ковальчук


Аннотация: Исследован эффект магнитопьезосопротивления при азотных температурах в магнитных полях до 20 кЭ и одноосных давлениях до 8000 кг/см$^{2}$ в образцах $n$-Si, легированных фосфором, с концентрацией носителей тока от ${2.19\cdot10^{13}}$ до ${1.29\cdot10^{16}\text{см}^{-3}}$. Из сравнения полученных экспериментальных результатов с теоретическими расчетами сделан вывод о том, что междолинное рассеяние $g$-типа при наличии магнитных полей (${\mu_{\parallel}H/c\approx1}$) находит свое проявление даже в области азотных температур.