Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости

Н. С. Аверкиев, А. Т. Гореленок, И. С. Тарасов


Аннотация: Рассмотрены особенности поляризации люминесценции в материалах $n$- и $p$-типа. Отмечается, что в $n$-материале поляризация излучения при одноосном сжатии обусловлена тремя причинами: разницей заселенности подзон легких и тяжелых дырок в меру $k_{0}T$, изменением правил отбора и изменением относительного вклада дырок с определенным направлением k в общую интенсивность вследствие трансформации зависимости плотности состояний от энергии. В $p$-материале ситуация упрощается из-за отсутствия второго выделенного направления движения (n) для акцепторных уровней.
Получена расчетная формула для спектральной зависимости степени линейной поляризации в кубических кристаллах $n$-типа проводимости. В фосфиде индия определены константы деформационного потенциала ${b=-1.8}$ и ${d=- 4.9}$, ${b'=-0.55}$ и ${d'=-1.45}$. Сообщаются результаты исследования величин несоответствия параметров решеток в гетероструктурах InGaAsP/InP.