RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 973–976 (Mi phts2328)

Влияние $\gamma$-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства компенсированного марганцем кремния

М. К. Бахадырханов, К. А. Азизов, А. А. Турсунов, К. X. Хайдаров


Аннотация: Приводятся экспериментальные данные влияния $\gamma$-облучения на свойства сильно компенсированного марганцем кремния и модель взаимодействия радиационных дефектов с примесями, учитывающая влияние степени компенсации и объясняющая наличие нижней довольно высокой границы дозы облучения, после которой резко меняются свойства образцов.



© МИАН, 2026