RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 969–972 (Mi phts2327)

О фотопроводимости Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, легированного In

И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес


Аннотация: Предлагается объяснение медленного обмена электронов между зонными и примесными состояниями в системе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, легированной In, основанное на представление об In как о примеси с отрицательной энергией Хаббарда.
Предполагается, что при низких температурах происходит упорядочение в расположении зарядов примесей (пустых In$^{+3}$ и заполненных In$^{+1}$ состояний), благодаря чему возникает щель в спектре примесных двухэлектронных состояний. Если эта щель больше глубины залегания уровня, то образование щели может сильно замедлить обмен между зонными и примесными состояниями. Щель в спектре примесных состояний объясняет также отсутствие линейного члена в теплоемкости при низких $T$.



© МИАН, 2026