Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными границами зерен

О. В. Вакуленко, А. И. Миколенко, Н. Н. Новиков, В. А. Скрышевский


Аннотация: Исследованы фотоэдс (ФЭ) и фотопроводимость (ФП) полученных на основе полуизолирующего GaAs$\langle\text{Cr}\rangle$ структур, сходных с бикристаллами, но по сравнению с последними имеющих широкую переходную зону (ПЗ) (${\sim60}$ мкм). Наблюдаемая селективная ФЭ объясняется пространственным разделением электронно-дырочных пар, генерируемых светом в объеме образца, электрическим полем ПЗ. Предполагается, что обнаруженное изменение спектра ФП при затемнении ПЗ обусловлено существованием $p{-}n$-перехода у поверхности GaAs$\langle\text{Cr}\rangle$ и устраняемого светом энергетического барьера для электронов в области ПЗ.