Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)

И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили


Аннотация: На основе ДГ-InGaAsP/InGaP GaAs-структур изготовлены инжекционные лазеры, имеющие рекордно низкие для данной системы пороговые плотности токов (${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$, ${\lambda=729}$ нм, 300 K). Впервые изучены температурные зависимости порогов генерации в области ${T> 300}$ K при инжекционном и оптическом возбуждении лазерных образцов. Анализ этих результатов показывает, что при улучшении эффективности токовой инжекции можно ожидать получение ${T_{0} > 100}$ K в области ${T> 300}$ K для ннжекционных лазеров на основе структур InGaAsP/InGaP/GaAs.