Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов на полупроводниках

М. В. Капитонов, О. В. Романов, А. М. Яфясов


Аннотация: Получены расчетные формулы для основных электрофизических параметров ОПЗ полупроводника $Q_{sc}$, $C_{sc}$, $\Delta N$, $\Delta P$ и $\sigma^{}_{\scriptscriptstyle\square}$ на основе обобщенной теории ОПЗ с учетом вырождения электронно-дырочного газа, непараболичности зоны проводимости в приближении Кейна и возможной перезарядки однородно распределенных по объему примесных уровней. Методом комплексного эффекта поля в электролитах для материалов «индиевой» подгруппы А$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ получены высокочастотные (1 МГц) вольтфарадные зависимости.