RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 942–944 (Mi phts227)

Краткие сообщения

Оже-рекомбинация дырок через глубокий акцептор в GaSb $n$-типа

М. В. Стриха

Институт полупроводников АН УССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 25.06.1985
Принята в печать: 29.11.1985



© МИАН, 2026