RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 5,
страницы
942–944
(Mi phts227)
Краткие сообщения
Оже-рекомбинация дырок через глубокий акцептор в GaSb
$n$
-типа
М. В. Стриха
Институт полупроводников АН УССР
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
25.06.1985
Принята в печать:
29.11.1985
Полный текст:
PDF файл (442 kB)
©
МИАН
, 2026