Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями

А. В. Чудинов, В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Евтихиев


Аннотация: Проведены исследования зависимости интенсивности фотолюминесценции от уровня возбуждения и температуры нелегированных InGaAsP/InP-гетероструктур с двумя активными областями (${E_{g}=0.98}$ и 1.23 эВ). Возбуждение структур осуществлялось АИГ : Nd$^{+3}$-лазером (${h\nu=1.17}$ эВ) и Кr$^{+}$-лазером (${h\nu=1.84}$ эВ). Установлено отсутствие термического выброса неравновесных носителей в исследованных структурах как в случае широкозонной активной области (вплоть до плотностей возбуждения ${J=10^{5}\,\text{А/см}^{2}}$), так и в случае узкозонной активной области (${J\leqslant3\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$). Показано, что перераспределение неравновесных носителей осуществляется в основном за счет оптической передачи возбуждения из более широкозонной активной области в узкозонную.