RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 3, страницы 546–548 (Mi phts2225)

Краткие сообщения

Перестройка дефектов при больших дозах облучения Si электронами

А. В. Двуреченский, Б. П. Кашников, В. И. Панов




© МИАН, 2026