Оже-рекомбинация в вырожденной электронно-дырочной плазме твердых растворов InGaAsP

Б. Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин


Аннотация: Выполнены расчеты скорости оже-рекомбинации в электронно-дырочной плазме полупроводников со структурой цинковой обманки при невырожденных дырках и произвольной степени вырождения электронов. Рассматриваются полупроводники, у которых ширина запрещенной зоны больше величины спин-орбитального расщепления и наиболее вероятными оказываются оже-процесс с переходом тяжелой дырки в спин-орбитально отщепленную зону.
Приведены расчетные температурные и концентрационные зависимости времен безызлучательной рекомбинации для твердого раствора InGaAsP. Даны зависимости внутренней квантовой эффективности люминесценции от тока с учетом рассмотренного оже-процесса и процесса оже-рекомбинации с передачей энергии электрону, вклад которого оказывается существенным при высоких концентрациях неравновесных носителей.