Аннотация:
Исследованы нагрузочные вольтамперные характеристики
(ВАХ) составляющих фотоэлементов (ФЭ) в монолитных двухкаскадных
$n{-}p{-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователях.
Показано, что люминесцентное излучение, возникающее в широкозонном ФЭ из-за
шунтирования нагрузки $p{-}n$-переходом, увеличивает уровень возбуждения
узкозонного ФЭ. Кроме того, растекание тока по общей $p$-области
вызывает дополнительное падение напряжения, обусловливающее зависимость формы
нагрузочных ВАХ каждого из ФЭ от режима
протекания тока в другом ФЭ.