RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 3, страницы 446–448 (Mi phts2190)

Взаимное влияние широкозонного и узкозонного фотоэлементов при работе каскадных $n$-GaAs${-}p$-AlGaAs${-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователей

А. М. Аллахвердиев, Ю. М. Задиранов, В. Д. Румянцев


Аннотация: Исследованы нагрузочные вольтамперные характеристики (ВАХ) составляющих фотоэлементов (ФЭ) в монолитных двухкаскадных $n{-}p{-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователях. Показано, что люминесцентное излучение, возникающее в широкозонном ФЭ из-за шунтирования нагрузки $p{-}n$-переходом, увеличивает уровень возбуждения узкозонного ФЭ. Кроме того, растекание тока по общей $p$-области вызывает дополнительное падение напряжения, обусловливающее зависимость формы нагрузочных ВАХ каждого из ФЭ от режима протекания тока в другом ФЭ.



© МИАН, 2026