О собственном поглощении пробного излучения в полупроводнике в поле сильной электромагнитной волны

С. Е. Кумеков


Аннотация: Теоретически исследуется поглощение слабой электромагнитной волны в полупроводнике в присутствии сильного электромагнитного поля. Получено общее выражение для коэффициента поглощения $k$ пробной волны, на основании которого анализируется зависимость $k$ от режима включения и поля сильной волны, частот сильной и пробной волн, состояния их поляризаций. Характер зависимостей для рассмотренных случаев внезапного и адиабатического включения сильной волны и состояния насыщения существенно различен.