Распределение пар Френкеля по расстояниям в облученных кремнии и германии

А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, В. И. Шаховцов


Аннотация: Предложена модель дефектообразования в полупроводниках, в которых компоненты пар Френкеля (КПФ) подвижны при облучении. Модель основана на экранировании КПФ равновесными или неравновесными носителями заряда. Исследована возможность построения функции распределения генетических пар Френкеля (ФРПФ) по расстояниям между компонентами с использованием экспериментальных результатов по зависимости эффективности введения дефектов от интенсивности электронного облучения или концентрации легирующих примесей. Проведен расчет ФРПФ для кремния и германия.