О длине экранирования в примесном полупроводнике

Н. А. Пенин


Аннотация: Предложено определение длины экранирования для примесного полупроводника, объединяющее два предельных случая: экранирование по Дебаю (${|e\varphi|\ll kT}$) и экранирование по Шоттки (${|\varepsilon\varphi|\gg kT}$). Дается вывод формулы длины экранирования для примесного полупроводника, содержащего одноуровневую (или двухуровневую) и компенсирующую примеси в отсутствие неосновных носителей заряда. Обсуждаются зависимости длины экранирования от величины и знака экранируемого потенциала для разной степени компенсации и для температур, соответствующих неполной ионизации примесей.