Фотопроводимость и определение фундаментальных параметров одноосных кристаллов (на примере CdGeP$_{2}\langle\text{Cu}\rangle$)

Ю. В. Рудь, В. Е. Скорюкин


Аннотация: Предложен метод определения фундаментальных параметров полупроводника по спектрам фотопроводимости. Метод опробован на примере кристаллов CdGeP$_{2}\langle\text{Cu}\rangle$. Из анализа спектров фотопроводимости определены спектральные зависимости коэффициента поглощения во всей области фоточувствительности, диффузионная длина (${\simeq0.9}$ мкм), скорость поверхностной рекомбинации, время жизни дырок (${\simeq5\cdot10^{-8}}$ с), коэффициенты оптической и фотоэлектрической анизотропии. Получены соотношения и анализируется влияние скорости поверхностной рекомбинации и толщины на поляризационную чувствительность фоторезистора.