Граница раздела сверхтонкий собственный окисел–полупроводник

О. В. Романов


Аннотация: Представлены результаты систематического исследования закономерностей формирования двойного электрического слоя на границе сверхтонкий собственный окисел–полупроводник (ССОП) для широкого ряда полупроводниковых материалов из вертикальных рядов аналогов группы A$^{\text{IV}}$ (Si, Ge) и A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ (InP, InAs, InSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb). Обнаружено, что уже на стадии зарождения собственного окисла (${d_{\text{ox}} < 10^{2}}$ Å) на поверхности полупроводников возникает специфический двойной электрический слой, природа которого определяется структурными, физическими и химическими аспектами исследуемой системы. Полученные результаты дают основания для развития модели границы раздела диэлектрик–полупроводник.