Исследование поверхности арсенида галлия, легированного атомами отдачи алюминия

Ю. Каменецкас, Г. Петраускас, И. Просычев, А. Сакалас, Г. Скоробогатас


Аннотация: Приведены результаты исследований поверхностного слоя арсенида галлия, легированного атомами отдачи алюминия, методами вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС), эллипсометрии и ИК спектроскопии. Легирование атомами отдачи проводилось при помощи ионов фосфора Р$^{+}$ с энергией 75 кэВ и дозами ${1\cdot10^{14}\div1\cdot 10^{16}\,\text{ион/см}^{2}}$.
Получены профили распределения алюминия и галлия в нелегированных и легированных образцах, зависимости эллипсометрических параметров $\psi$ и $\Delta$ в поверхностном слое GaAs и смещение полосы плазменного отражения свободных электронов от дозы облучения ионами фосфора и температуры отжига.
Установлено, что при легировании арсенида галлия атомами отдачи алюминия возникают дефекты иного типа, чем при обычной ионной имплантации.