RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 915–918 (Mi phts217)

Краткие сообщения

Температурная зависимость ширины непрямой запрещенной зоны в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$P и GaAs$_{1-y}$P$_{y}$

О. Н. Ермаков


УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.06.1985
Принята в печать: 11.11.1985



© МИАН, 2026