Локальные энергетические уровни в кремнии, обусловленные имплантацией ионов титана в структуры Si$-$SiO$_{2}$

Г. Н. Галкин, Р. У. Аббасова, Е. А. Боброва, В. С. Вавилов


Аннотация: Определены положения локальных энергетических уровней в кремнии, принадлежащих центрам, возникающим после имплантации ионов титана в структуры Si$-$SiO$_{2}$ при различных температурах отжига в интервале от 150 до $700^{\circ}$С и дозах имплантации $10^{11}$, ${3\cdot10^{11}}$, $10^{12}\,\text{см}^{-2}$. Показано, что в кремнии образуется ряд энергетических уровней радиационных дефектов, типичных для имплантации других ионов (кремния, аргона). Наблюдалось значительное увеличение фона плотности поверхностных состояний и количества дефектов определенного типа по сравнению со структурами Si$-$SiO$_{2}$, имплантированными ионами Si$^{+}$ или Ar$^{+}$. Обнаружены особенности возникновения дефекта с энергетическим уровнем ${E_{v}+0.51}$ эВ, а также высокая стабильность (до $700^{\circ}$С) центра с энергетическим уровнем ${E_{c}-0.52}$ эВ.