RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 2, страницы 281–287 (Mi phts2151)

Поляризация люминесценции монокристаллов AgInS$_{2}$

Ю. В. Рудь, З. А. Паримбеков


Аннотация: Проведено сравнительное исследование поляризации люминесценции монокристаллов AgInS$_{2}$ с ромбической ($r$) и халькопиритной ($ch$) решетками. Показано, что анизотропия люминесценции определяется симметрией кристаллического поля. Обнаружено, что для $r$-фазы максимальная интенсивность излучения наблюдается в поляризации ${E\parallel X}$, а для $ch$-фазы — в поляризации ${E\parallel Z}$. Установлено, что при ${T< 90}$ K энергетическое положение максимума краевой полосы AgInS$_{2}$ от поляризации не зависит. В области 300 K обнаружено зависящее от кристаллографического направления энергетическое расщепление разнополяризованных полос для $r$-фазы. Показано, что для $ch$-фазы при 300 K разнополяризованные полосы не расщеплены, тогда как в CdSe энергетическое расщепление разнополяризованных полос наблюдается уже при 77 K. Предложены модель энергетического спектра и правила отбора излучательных переходов в AgInS$_{2}$. Обнаружена полная поляризация краевой люминесценции для $r$-фазы вдоль [010] при ${T\lesssim80}$ K, которая падает до 90% в результате перехода ${r\to ch}$. Обсуждается взаимосвязь степени линейной поляризации люминесценции и кристаллического расщепления валентной зоны.



© МИАН, 2026