Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера

Д. З. Гарбузов, В. Б. Халфин, Э. В. Тулашвили, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова


Аннотация: Исследована зависимость интенсивности фотолюминесценции ДГ-InGaAsP/GaAs-структур от толщины In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P-эмиттера ($d_{1}$), в котором генерируются неравновесные носители заряда (ННЗ). Определены рекомбинационные параметры материала эмиттера и установлено, что при ${d_{1}\simeq L}$ интенсивность люминесценции активной области, возникающей вследствие диффузии ННЗ, вдвое превосходит интенсивность излучения эмиттера. Сопоставление с расчетом показывает, что фотонный механизм возбуждения ННЗ в данном случае может дать значительный вклад в интенсивность люминесценции активной области только при ${d_{1}> 4L}$.