Кинетика быстродействующих $p{-}n$-фотодиодов на материалах с собственной проводимостью

В. К. Еремин, Н. Б. Строкан, Д. В. Тархин, Ш. В. Эгамов


Аннотация: Рассмотрено влияние на форму фототока поверхностно-барьерных диодов, выполненных из собственного материала, соотношения между концентрацией свободных носителей в базе $n_{i}$ и объемного заряда $eN$ в области $p{-}n$-перехода. Показано, что при ${n_{i}>N}$ отклик диода на световой $\delta$-импульс описывается разностью двух экспонент, что приводит к характерному максимуму, смещенному относительно момента возбуждения. Учтено также влияние последовательного сопротивления растекания светочувствительного контакта на быстродействие фотодиода (что важно при ${n_{i}>N}$) и предложено приближенное выражение для его оценки.