Примесная фотолюминесценция GaAs$\langle$Cu$\rangle$ около 1.36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению [111]

Н. С. Аверкиев, Т. К. Ангаров, А. А. Гуткин


Аннотация: При 1.8 K и давлениях $P$ по оси [111] до 8 т/см$^{2}$ исследованы спектры полосы примесной фотолюминесценции, обусловленной введением Сu в GaAs. Обнаружено, что сужению линий излучения при ${P\simeq4{-}6\,\text{т/см}^{2}}$ предшествуют «скачок» в зависимости положения максимума излучения от $P$ и резкое изменение поляризации люминесценции. Эти результаты объясняются в модели примесного комплекса, состоящего из атома Сu в узле решетки и четырех ближайших атомов решетки, смещенных из ее узлов в силу ян-теллеровского эффекта, возникающего в результате взаимодействия дырки на центре с $E$-колебаниями комплекса. Из экспериментальных результатов оценены параметры модели.