RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 1, страницы 93–96 (Mi phts2108)

Исследование собственных точечных дефектов структуры в монокристаллах арсенида галлия методом ядерного магнитного резонанса

Д. Г. Андрианов, В. В. Каратаев, М. Г. Мильвидский, Ю. Б. Муравлев


Аннотация: Методом ядерного магнитного резонанса исследованы нелегированные кристаллы арсенида галлия, выращенные с различным отклонением от стехиометрии. Из экспериментальных спектров получена информация о типе и концентрации заряженных точечных дефектов в таких кристаллах и местах их преимущественной локализации.
Показано, что ядерный магнитный резонанс может быть использован как эффективный метод исследования собственных точечных дефектов в полупроводниковых соединениях.



© МИАН, 2026