Аннотация:
Методом ядерного магнитного резонанса исследованы
нелегированные кристаллы арсенида галлия, выращенные с различным отклонением
от стехиометрии. Из экспериментальных спектров получена информация о типе
и концентрации заряженных точечных дефектов в таких кристаллах
и местах их преимущественной локализации. Показано, что ядерный магнитный резонанс может быть использован
как эффективный метод исследования собственных
точечных дефектов в полупроводниковых соединениях.