Теория фотоакустического эффекта в полупроводниках

В. А. Сабликов, В. Б. Сандомирский


Аннотация: Развита теория фотоакустического эффекта (ФАЭ) в полупроводниках в полосе собственного поглощения, в которой учтены образование свободных электронов и дырок, их диффузия и рекомбинация. Расчет проведен для биполярного полупроводника с квазинейтральным объемом и изгибом зон у поверхности. Показано, что ФАЭ позволяет определять не только коэффициент поглощения света, но и параметры процесса переноса электронов и дырок. Кроме того, ФАЭ несет информацию о технологических неоднородностях образца (в частности, он позволяет определять положение гетеропереходов) и о нелинейности процессов переноса и рекомбинации.