Неравновесный фазовый переход в CdSe, индуцированный излучением лазера большой мощности

М. П. Лисица, Н. Р. Кулиш, А. Ф. Мазниченко


Аннотация: Для трех фиксированных температур исследовано влияние интенсивности $I$ лазерного излучения на положение края собственного поглощения CdSe. Установлено, что при низких $I_{\text{н}}$ и высоких $I_{\text{в}}$ форма края следует правилу Урбаха ${K=K_{0}\sigma(h\nu-E_{0})/kT}$. При переходе от $I_{\text{н}}$ к $I_{\text{в}}$ константы $K_{0}$ и $E_{0}$ уменьшаются скачком, а $\sigma$ не зависит от $I$. Одновременно имеет место скачкообразное смещение края в коротковолновую область спектра. В поляризации ${E\perpC}$ оно больше, чем в поляризации ${E\parallelC}$. Предполагается, что обнаруженное явление связано со структурной перестройкой ближайшего к примеси окружения при включении экранировки примеси неравновесными носителями заряда. Скачкообразное уменьшение $E_{0}$, адекватное ширине запрещенной зоны, и перестройка решетки указывают на наличие в CdSe неравновесного структурного фазового перехода первого рода типа беспорядок–порядок, индуцированного излучением лазера большой мощности.