Спектры электроотражения света от периодических структур Ge$_{1-x_{1}}$Si$_{x_{1}}{-}$Ge$_{1-x_{2}}$Si$_{x_{2}}$ со сверхтонкими слоями

Л. К. Орлов, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов

Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы спектры электроотражения света от поверхности периодических структур Ge$_{1-x_{1}}$Si$_{x_{1}}{-}$Ge$_{1-x_{2}}$Si$_{x_{2}}$ со сверхтонкими слоями. Показано, что CP с толщиной слоев менее 6 нм обладают высокой туннельной прозрачностью потенциальных барьеров. Для периодических структур с классическим характером электронного спектра предложено использовать метод электроотражения света для анализа распределения потенциала на периоде структуры.

Поступила в редакцию: 22.07.1985
Принята в печать: 01.08.1985