RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 1, страницы 35–39 (Mi phts2096)

Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении

Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец


Аннотация: Исследовались процессы радиационного дефектообразования в германии, легированном примесью галлия при температурах облучения 78 и 300 K. Установлено, что при соответствующих условиях атомы галлия эффективно взаимодействуют с собственными дефектами кристаллической решетки.



© МИАН, 2026