RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 12, страницы 2187–2192 (Mi phts2075)

Изменение электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида галлия при отжиге

Н. Г. Колин, Л. В. Куликова, В. Б. Освенский, С. П. Соловьев, В. А. Харченко


Аннотация: Исследованы зависимости электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида галлия (ЯЛАГ) от флюенса реакторных нейтронов и последующей термообработки.
Экспериментально показано, что при легировании GaAs методом ядерных превращений в широком диапазоне концентраций (${5\cdot10^{16}{-}5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$) отклонение концентрации вводимой примеси от заданного номинала не превышает 10%. Установлено, что характер изменения свойств и полнота отжига при термообработке в ЯЛАГ сложным образом зависят от флюенса нейтронов, температуры отжига и времени выдержки при данной температуре. Определены три стадии отжига радиационных дефектов в интервале температур $100{-}1100^{\circ}$С. Приведено сравнение свойств арсенида галлия, легированного германием и селеном в процессе выращивания, и ЯЛАГ.



© МИАН, 2026