Аннотация:
Исследованы зависимости электрофизических свойств
ядерно-легированного арсенида галлия (ЯЛАГ) от флюенса реакторных нейтронов
и последующей термообработки. Экспериментально показано, что при легировании GaAs методом ядерных
превращений в широком диапазоне концентраций
(${5\cdot10^{16}{-}5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$) отклонение концентрации
вводимой примеси от заданного номинала не превышает 10%. Установлено, что
характер изменения свойств и полнота отжига при термообработке в ЯЛАГ сложным
образом зависят от флюенса нейтронов, температуры отжига и времени выдержки
при данной температуре. Определены три стадии отжига радиационных дефектов
в интервале температур $100{-}1100^{\circ}$С. Приведено сравнение свойств
арсенида галлия, легированного германием и селеном в процессе выращивания,
и ЯЛАГ.