RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 11, страницы 2082–2085 (Mi phts2049)

Краткие сообщения

Особенности дефектообразования в приповерхностной области HgCdTe при электронном облучении

В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, Е. П. Казак, А. П. Коханенко




© МИАН, 2026