RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 11,
страницы
2082–2085
(Mi phts2049)
Краткие сообщения
Особенности дефектообразования в приповерхностной области HgCdTe при электронном облучении
В. В. Антонов
,
А. В. Войцеховский
, Е. П. Казак
,
А. П. Коханенко
Полный текст:
PDF файл (586 kB)
©
МИАН
, 2026