Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии

Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, В. П. Евтихиев, В. Б. Халфин


Аннотация: Показано, что методом жидкостной эпитаксии могут быть получены InGaAsP/InP ДГС с раздельным ограничением (РО), с толщиной активной области ${2\cdot10^{-6}}$ см и пороговой плотностью накачки 600 А/см$^{2}$ (300 K), описываются результаты фото люминесцентных исследований таких структур. Рассматриваются физические причины, определяющие величину пороговой плотности накачки и специфику спектров излучения структур с РО и толщиной активной области ${(2\div20)\cdot10^{-6}}$ см.