Влияние встроенных электрических полей на температурную стабильность параметров Al$-$Ga$-$As-гетерофотоэлементов

А. М. Аллахвердиев, В. М. Андреев, Н. Б. Джелепова, Б. В. Егоров, О. В.  Сулима


Аннотация: Сообщается об исследовании влияния встроенных тянущих электрических полей ($E^{+}$), вызванных градиентом концентрации дырок, на параметры гетерофотоэлементов с $p{-}n$-переходом в GaAs и в Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As. Показано, что встроенное поле уменьшает температурную зависимость напряжения холостого хода $U_{\text{хх}}$.
Показано также, что температурный коэффициент $U_{\text{хх}}$ уменьшается с увеличением фототока $I_{\text{ф}}$ и достигает значения 1.3 мВ/град при ${I_{\text{ф}}=12\,\text{А/см}^{2}}$ и ${E^{+}= 1500\div1800}$ В/см для гетерофотоэлемента с $p{-}n$-переходом в Al$_{0.14}$Ga$_{0.86}$As.