RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 11, страницы 1954–1957 (Mi phts2022)

Фотоакустический эффект в полупроводниках в переменном электрическом поле

А. Н. Васильев, В. Б. Сандомирский


Аннотация: Рассматривается фотоакустический (ФА) эффект в полупроводниковой пластине, на которую в направлении, перпендикулярном падению света, накладывается переменное электрическое поле, вызывающее джоулев разогрев (рассматривается одномерная модель явления). Так как частоты модуляции интенсивности света и электрического поля различны, то возникают сигналы на нескольких комбинационных частотах. Соответствующие выражения для ФА сигнала имеют более простой вид по сравнению с обычным ФА эффектом и легче анализируются. Кроме того, уменьшение длины тепловой диффузии за счет повышения частоты электрического поля позволяет уменьшить толщину под поверхностью, с которой получается информация.



© МИАН, 2026