Исследование параметров, определяющих вольтамперную характеристику «длинного» диода

Т. М. Елканова, Е. В. Никишин, Б. М. Орлов


Аннотация: Исследованы параметры, характеризующие протекание тока в «длинной» диодной структуре на основе компенсированного полупроводника с двумя глубокими уровнями. Учитывались как дрейфовые, так и диффузионные эффекты. Принято, что по всей длине базы выполняется условие квазинейтральности. Численно рассчитано распределение по длине базы проводимости, концентраций и времен жизни носителей, напряженности электрического поля, эффективного коэффициента диффузии, биполярной дрейфовой подвижности при различных величинах протекающего тока. Для расчета были выбраны параметры, характерные для фосфида галлия, компенсированного медью. При некоторой плотности тока зависимость эффективного коэффициента диффузии от уровня возбуждения возрастает и имеет резко выраженный экстремальный характер. Кроме того, сопротивление базы может модулироваться за счет появления области, в которой времена жизни и концентрации электронов и дырок возрастают. Это обусловливает возможность возникновения участка отрицательного сопротивления (ОС) на ВАХ диодной структуры.