RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 10, страницы 1890–1892 (Mi phts2006)

Краткие сообщения

Влияние иттербия на образование радиационных дефектов в $p{-}n$-структурах из фосфида галлия

А. А. Гринсон, А. А. Гуткин, В. А. Касаткин, В. Г. Сидоров, С. Н. Шлихтов




© МИАН, 2026