Влияние электрического поля на захват электронов глубоким донорным центром кислорода в фосфиде галлия

В. Г. Сидоров, С. Н. Шлихтов, Ю. К. Шалабутов


Аннотация: Обнаружены увеличение сечения захвата электронов на притягивающий центр кислорода замещения O$^{+}_{\text{P}}$ в фосфиде галлия в сильном электрическом поле слоя объемного заряда $p{-}n$-перехода на 2$-$3 порядка по сравнению с нейтральной областью и независимость его от напряженности электрического ноля в диапазоне (${0.5\div3)\cdot10^{5}}$ В/см. При этом изменяется и температурная зависимость сечения захвата, что может быть обусловлено сменой механизма захвата электронов на O$^{+}_{\text{P}}$ в условиях сильного электрического поля. В области объемного заряда светодиодов из GaP$\langle$ZnO$\rangle$ (в отличие от нейтральной области) рассматриваемый центр становится рекомбинационным.