Квазистационарный режим плавления при комбинированном лазерном воздействии на полупроводниковые материалы

В. Н. Абакумов, В. Н. Гуман, В. С. Юферев


Аннотация: В условиях комбинированного лазерного воздействия на полупроводниковые структуры удается реализовать такие ситуации, когда тепловые источники, связанные с поглощением лазерного излучения, сосредоточены в окрестности фронта плавления и перемещаются вместе с ним. Показано, что для такого режима лазерного воздействия задача Стефана имеет простое аналитическое решение. Получены распределения температурного поля и выражения для скоростей движения фронта плавления при комбинированной подсветке лазерными импульсами нано-, микро- и миллисекундной длительности. Рассмотренная постановка и решение задачи Стефана в условиях комбинированного лазерного отжига выполнены впервые. Представленное теоретическое рассмотрение согласуется с известными экспериментальными данными.