RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 10, страницы 1803–1807 (Mi phts1985)

Межзонная оже-рекомбинация в лазерных структурах на основе GaSb

Б. Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин


Аннотация: Вычислены скорости межзонной оже-рекомбинации в модели Кейна и скорости излучательной рекомбинации в лазерных гетероструктурах на основе GaSb. С учетом этих двух рекомбинационных процессов в таких структурах оценены пороговая плотность тока и внутренняя квантовая эффективность люминесценции. Показано, что межзонная оже-рекомбинация не может существенно увеличить пороговую плотность тока в лазерах с активной областью из GaSb и близких к нему по составу твердых растворов.



© МИАН, 2026