RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 10, страницы 1788–1794 (Mi phts1982)

Детальные механизмы электронных переходов краевого излучения в широкозонных соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$

М. А. Ризаханов, М. К. Шейнкман


Аннотация: Рассмотрены детальные механизмы электронных переходов, приводящие к краевому излучению (КИ) в широкозонных соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ (CdS, ZnS и др.). В рамках этих механизмов объяснены основные особенности КИ. Оценены также энергии ионизации мелких доноров в ряде соединений A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$.



© МИАН, 2026