Электросопротивление Cu$_{2-x}$Se в области температур от 4.2 до 450 K

М. А. Коржуев, А. В. Лаптев

Институт металлургии им. А. А. Байкова АН СССР, г. Москва

Аннотация: В интервале температур ${4.2\div450}$ K измерено электросопротивление образцов селенида меди Cu$_{2-x}$Se различного состава (${x=0\div0.3}$) с концентрацией носителей тока ${p= (0.4\div6.6)\cdot 10^{21}\,\text{см}^{-3}}$. Показано, что особенности температурных и концентрационных зависимостей электросопротивления Cu$_{2-x}$Se объясняются фазовыми превращениями, происходящими в интервалах температур ${180\div200}$ и ${291\div413}$ K, переходом от рассеяния носителей тока на экранированном кулоновском потенциале вакансий в области низких температур к фононному рассеянию в области высоких температур и нестандартностью валентной зоны соединения.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 19.08.1985
Принята в печать: 11.11.1985