Фотоакустический эффект в полупроводниках конечных размеров

А. Н. Васильев, В. Б. Сандомирский


Аннотация: Рассматривается фотоакустический эффект (ФАЭ) в полупроводнике конечной толщины с учетом поверхностной рекомбинации и теплоотвода на тыловой границе. В случае поверхностной генерации получено общее выражение для температуры на поверхности полупроводник–газ. Численно рассчитаны частотные зависимости амплитуды и фазы ФАЭ для типичного набора параметров. На основании элементарной физической картины получены простые аналитические выражения для амплитуды ФАЭ, количественно совпадающие с особенностями графиков. Показано, что ФАЭ позволяет определить ряд электронных, тепловых и геометрических характеристик образцов.