Аннотация:
Найдено, что экспериментальные зависимости холловского
фактора от температуры и от приповерхностного избытка электронов
на поверхности германия (111) в условиях заселенности нескольких квантовых
подзон свидетельствуют о сильной зависимости времен релаксации
носителей заряда от их локализации вблизи поверхности полупроводника.