RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 10, страницы 1735–1738 (Mi phts1972)

Холл-фактор в инверсионных $n$-каналах на поверхности германия

В. И. Гутов, З. Д. Квон, И. Г. Неизвестный, В. Н. Овсюк


Аннотация: Найдено, что экспериментальные зависимости холловского фактора от температуры и от приповерхностного избытка электронов на поверхности германия (111) в условиях заселенности нескольких квантовых подзон свидетельствуют о сильной зависимости времен релаксации носителей заряда от их локализации вблизи поверхности полупроводника.



© МИАН, 2026