Свойства ядерно-легированного арсенида индия

Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, Н. С. Рытова, Е. С. Юрова

Физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Обнинский филиал

Аннотация: Показана практическая возможность ядерного легирования монокристаллов арсенида индия оловом в достаточно широком диапазоне концентраций ($10^{17}{-}10^{19}\,\text{см}^{-3}$). Определены оптимальные температуры отжига ядерно-легированного арсенида индия (ЯЛАИ), которые зависят от уровня легирования материала. Установлено, что важную роль в процессах образования и отжига радиационных дефектов в арсениде индия играет донорно-акцепторное взаимодействие.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 28.08.1985
Принята в печать: 11.11.1985