Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах HgTe и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.2}$)

А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, Ю. В. Лиленко, А. Д. Погребняк, Ш. М. Рузимов, Р. Д. Бабаджанов

Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Томский государственный университет

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния облучения электронами с энергией 3 МэВ дозами до $10^{18}\,\text{см}^{-2}$ на кристаллы HgTe и и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.2}$) методом аннигиляции позитронов. Значительные изменения в параметрах кривых углового распределения аннигиляционных фотонов объясняются тем, что при электронном облучении создаются радиационные дефекты вакансионного типа. Обнаружены стадии отжига позитронно-чувствительных дефектов, совпадающие с отжигом электрически активных радиационных дефектов.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.10.1985
Принята в печать: 01.11.1985