Влияние одноосной деформации на связанную с Mn полосу примесной фотолюминесценции в GaAs

Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Н. М. Колчанова, М. А. Рещиков


Аннотация: При температуре 1.8 K исследовано влияние одноосного давления до 10 Т/см$^{2}$ на полосу фотолюминесценции с максимумом около 1.41 эВ в GaAs$\langle$Mn$\rangle$. При приложении давления $P$ по осям (${P\parallel[111]}$, [100], [110]) линия поляризуется и сильно уширяется. Анализ экспериментальных результатов показывает, что уширение линии излучения связано с изменением при давлении адиабатических потенциалов центра, обусловленных взаимодействием дырки с локальными колебаниями примесного центра. Электрон-фононное взаимодействие с оптическими фононами кристалла при давлении не меняется. Безразмерные стоксовы потери при этом взаимодействии равны ${0.36\pm0.01}$.