RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 8, страницы 1505–1508 (Mi phts1911)

Краткие сообщения

Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K

В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец




© МИАН, 2026