RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 8,
страницы
1505–1508
(Mi phts1911)
Краткие сообщения
Образование точечных дефектов в чистом
$p$
-Si
под действием гамма-лучей при 6.5 K
В. В. Емцев
, М. А. Маргарян
,
Т. В. Машовец
Полный текст:
PDF файл (587 kB)
©
МИАН
, 2026