RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 8,
страницы
1496–1497
(Mi phts1907)
Краткие сообщения
Зависимость концентраций радиационных дефектов в кремнии
$p$
-типа
от интенсивности облучения быстрыми электронами
Н. В. Колесников
,
В. Н. Ломасов
, С. Е. Мальханов
, Я. Я. Пилькевич
Полный текст:
PDF файл (234 kB)
©
МИАН
, 2026