RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 8, страницы 1496–1497 (Mi phts1907)

Краткие сообщения

Зависимость концентраций радиационных дефектов в кремнии $p$-типа от интенсивности облучения быстрыми электронами

Н. В. Колесников, В. Н. Ломасов, С. Е. Мальханов, Я. Я. Пилькевич




© МИАН, 2026