RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 7, страницы 1220–1223 (Mi phts1837)

Зонный электронный спектр и мнимая часть диэлектрической функции кристалла K$_{2}$CsSb, вычисленные методом эмпирического псевдопотенциала

В. П. Киселев, В. А. Чалдышев

Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Томский государственный университет

Аннотация: Построен кристаллический псевдопотенциал, включающий в себя спин-орбитальное взаимодействие и $d$-нелокальность как добавки к среднему локальному псевдопотенциалу, который представлен в модели жестких ионов через сумму экранированных эмпирических псевдопотенциалов ионов К, Cs, Sb, взятых из других соединений. Рассчитанный зонный электронный спектр с величиной запрещенной зоны, равной экспериментальному значению 1.1 эВ, позволил вычислить теоретически впервые для кристалла K$_{2}$CsSb плотность электронных состояний и мнимую часть функции диэлектрической проницаемости $\varepsilon_{2}(\omega)$, положение особенностей которой хорошо согласуется с экспериментальной зависимостью $\varepsilon_{2}(\omega)$, полученной для пленок этого соединения. Значительное отличие абсолютных величин $\varepsilon_{2}(\omega)$ от экспериментального значения приводит к необходимости дальнейших экспериментальных и теоретических исследований оптических свойств кристалла.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 26.12.1983
Принята в печать: 08.02.1984



© МИАН, 2026