Эффект поля на поверхности полуметалла HgTe и полупроводника Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te

О. В. Романов, В. Б. Божевольнов, Ю. Н. Мясоедов

Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова

Аннотация: В ходе систематического исследования электрофизических свойств поверхности материалов группы Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${0\leqslant x\leqslant1}$) методом комплексного эффекта поля в электролитах при 278 K впервые экспериментально наблюдался эффект поля для «реальной» и анодно окисленной поверхности бесщелевого полуметалла HgTe. Сопоставлены результаты измерения высокочастотной (${f=1}$ МГц) поверхностной емкости в зависимости от потенциала на полуметалле HgTe и на узкощелевом полупроводнике Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te. Экспериментально показано, что уже на начальных стадиях анодного окисления (${d_{\text{ox}}\leqslant120}$ Å) как HgTe, так и Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te в их собственном окисле образуется положительный суммарный электрический заряд ${Q_{\text{ox}}> 0}$, характерный для этой группы соединений. На поверхности материалов $p$-типа заряд в окисле вызывает инверсию типа проводимости в области пространственного заряда на глубине эффективного дебаевского радиуса экранирования.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 24.11.1983
Принята в печать: 07.02.1984